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曾斌同学关于钙钛矿光栅结构诱导的偏正相应的高性能GaA光电探测器的研究论文被 IEEE TED 接受发表


Chunyan Wu, Bin Zeng, Kunnan Zhou, Longqiang Shan, Junjie Wang, Li Wang, Yizhong Yang, Yuxue Zhou, 

and Linbao Luo


AbstractIn this work, we demonstrate the fabrication of GaAs photodetector with grating-perovskite (G-PVK) for a broadband enhanced ultraviolet (UV)-near infrared (NIR) photodetection. The device shows a peak photoresponse under 530 nm illumination, presenting a responsivity of 0.3 A/W, a specific detectivity of 2.24×1010 Jones and 0.6 ms/0.56 ms for rise/fall time, respectively. Compared to the device without PVK, the dark current was suppressed by 2 orders of magnitude and the photoresponse was enhanced up to 215%. This should be ascribed to the effective spatial separation of the vertical build-in electric field between GaAs and G-PVK and the enhanced light trapping arising from the diffraction grating. The well-aligned grating also shows a high sensitivity to the polarized light, giving rise to a peak-to-valley ratio Imax/Imin of about 2.14. This suggests the potential application of the device in the polarization-sensitive imaging system


IEEE TED


 
 
合肥工业大学先进半导体器件与光电集成实验室
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