本实验室依托于电子科学与应用物理学院公共科研平台。专业实验楼已建有整套半导体纳米材料的制备测试系统,包括半导体扩散系统,氧化系统,光刻清洗系统,电子束蒸发系统,脉冲激光沉积(PLD),磁控溅射系统,半导体参数测试系统(含精密测试探针台),少子寿命测试仪,原子力显微镜,扫描探针显微镜,椭偏仪,拉曼光谱仪等一批较先进的微电子工艺系统设备和微电子综合测试仪器。
 
 

实验室项目经费购买仪器


OTF-1200X型双温区管式炉



配备石英窗和转靶、进样系统,可用于复杂化合物、异质结等纳米结构的激光辅助化学气相沉积。工作温度:1200℃


OTF-1200XⅡ型双温区管式炉


LE-SP-M300 系列模拟光源与单色仪

用于各种光谱测试应用.

焦距:300nm
分辨率:0.1nm
光谱范围:200~1500nm
色散:2.7nm/mm
最小步距:0.0023nm
狭缝宽度:10μm-3nm

 

CCS-350S型低温循环制冷系统

用于低温下器件性能测试。

变温范围:10K-500K

最初制冷时间:~90min to 10K,二次制冷时间(300 K to 10 K):45min


RTP-1000D4型快速退火炉

用于多种气氛下,纳米材料、器件等的快速退火。

工作温度:950℃,最高温度:1000℃, 恒温精度:±5℃

最快升温速率:真空:120 ℃/sec;保护气体:100℃/sec


PDC-32G型等离子清洗器

用于硅片、器件等表面的快速清洁。

耐热玻璃舱体直径3英寸,长6.5英寸的,三档功率可调,工作气体:氩气、氧气等。


ME-3A 反应离子刻蚀机

用于SiPoly-Si, Si02SixNy、光刻胶等的刻蚀。

有反应离子刻蚀和磁增强反应离子刻蚀两种模式,刻蚀均匀性误差±5%(4英寸内)



恒温恒湿测试仪

用于不同温度、湿度环境下器件性能测试。

控湿范围:85%RH→3%RH

显示精度:±1%RH

均匀度:±3%RH

控温范围:0℃-50℃

精度:±2℃



DMM-200C正置金相显微镜


用于不透明物体的显微观察。

目镜:10X16X

物镜:5X10X20X40X60X

微动手轮格值:0.002mm

瞳距调节范围:53-75mm


Water Purifier 实验室专用超纯水机

用于实验集中供水,可同时制备取用两种水质的水,即RO水和超纯化水。

RO水电导率≤5μs/cm@25℃

水质标准优于中国国家分析实验室用水(GB/T 6682-2008)三级水标准。

UP超纯化水电导率≤0.1s/cm@25℃;水质优于中国国家分析实验室用水(GB/T 6682-2008)一级水标准。


学院公共科研平台

 

DZS-500电子束/热蒸发沉积系统

用于半导体薄膜、金属电极等的沉积,四个可旋转水冷坩埚,可镀多层膜、超晶格材料等。

真空度:极限真空≤7E-5Pa,工作真空≤7E-4Pa
电子枪:270E型电子枪,功率0-6KW可调。

可实时监控膜厚,膜厚监控仪速度分辨率0.01- 9.99nm/min,厚度分辨率0.1nm

 

JGP560型超高真空磁控溅射系统

用于半导体薄膜、介质薄膜、金属薄膜、磁性薄膜、纳米单层及多层功能薄膜等的沉积。

主溅射室极限真6.6E-6Pa(1200/秒分子泵)

进样室极限真空:≤6.6E-4Pa(600/秒分子泵)。配有5个磁控溅射靶接口。


PLD-450脉冲激光沉积系统

用于成分复杂的合金或化合物材料、氧化物薄膜等的沉积。配备COMPexPro 102 KrF准分子激光器(波长248nm,脉冲能量400mJ,频率1-20HZ,脉冲宽度25ns


三温区化学气相沉积系统

用于一维纳米结构的气相生长。

极限真空:5×10-5Pa

三温区可独立控温,最高工作温度分别为1200度(左、右温区)和1400度(中温区)。

高温氧化(左)


L4514系列单管程控扩散(中、右)

用于半导体的杂质掺杂。

工作温度:400-1250度, 温区长度:300mm,恒温区控制精度:±0.5度, 炉体有效口径:180mm,工艺气体:氧气,氮气。


BG-401A型曝光机

配备BP-2B型烘胶台和KW-4A型匀胶机等相关辅助设备,用于器件制造工艺中的光刻工艺研究。 

曝光精度:2μm



Keithley 4200-SCS/F半导体特性分析系统


用于半导体元器件特性的测量(如I-VC-VC-t等),器件模型的参数提取,氧化特性、掺杂分布、失效分析等。


SW-TPG12型通风柜


用于排出有害气体,采用水、电、气、通风一体制,满足实验过程中清洗和排污需要。


器件表征分析仪器


噪声测量系统1套(博达微,NC-300


用于器件暗电流的噪声测试。


 半导体一体化测试系统1(博达微,FS-Pro)


用于器件的IV测试、CV测试、低频噪声(1/f noise)于单台仪器,内置测量控制软LabExpress-Adv™,拥有直观的用户图形界面,具备完成器件特性分析的功能


电容电压特性测试仪1昆德科技,KCV-300

KCV-300电容电压(C-V)特性测试仪是测试频率为1MHz的数字式电容测试仪器,专用于测量半导体器件PN结的势垒电容在不同偏压下的电容量,也可测试其它电容


函数发生器1RigolDG5252


函数发生器是一种多波形的信号源。用于产生正弦波、方波、三角波、锯齿波等波形。


高频示波器1套(泰克,DPO 5104B

用于观察各种不同信号幅度随时间变化的波形曲线,还可以用它测试各种不同的电量,如电压、电流、频率、相位差、调幅度等等。



斩波器1套(SR540

主要功能参数:
频率范围:4Hz~3.7KHz(内孔:4Hz~400Hz;外孔:400~3.7KHz
频率输出精度:<2%
相位稳定度:0.2°~ 0.5°


数字锁相放大器1套(吉时利,SR830


用于在噪声环境中提取信号幅值和相位信息。


前置放大器1套(美国斯坦福,SR560


用于接收来自信源的微弱电压信号。


 
 
合肥工业大学先进半导体器件与光电集成实验室
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