实验室动态
恭喜实验室付灿同学获得2021年度...
恭喜实验室张致翔同学获得2019年...
恭喜实验室梁毅同学获得2021年度...
恭喜实验室张超同学获得2021年度...
恭喜实验室蒋静静同学获得2020年...
恭喜实验室赵兴远同学获得2019年...
恭喜实验室陆星彤同学获得2019年...
恭喜实验室康经纬同学获得2019年...
付灿同学关于一种结构简单且具有...
陈华瀚同学关于准二维钙钛矿抗反...
曾斌同学关于钙钛矿光栅结构诱导...
曹开俊同学关于通过厚度调控InSe...
童小伟同学的关于PtTe2材料用于...
康经纬同学关于γ-In2Se3/GaAs ...
张秀星同学关于高开关比、空气稳...
陆星彤同学关于氧化镓薄膜的图案...
罗和昊同学关于高灵敏且响应波段...
朱慧男同学关于GaSe微米带的可控...
李振同学关于自驱动、免滤波片、...
蒋静静同学关于甲基胺铅碘单晶p-...
罗林保老师与我校光电技术研究院...
陆星彤同学的关于无催化剂生长氧...
张致翔同学的关于基于无机无铅宽...
赵兴远同学关于PdSe2/金字塔硅近...
康经纬同学关于层状γ-硒化铟纳...
李晶晶同学的关于高性能多层硒化...
彭伟同学的关于不对称接触导致的...
梁林同学的宽光谱钙钛矿光电探测...
童小伟同学关于硅/CsBi3I10异质...
吴国安同学的钙钛矿/有机半导体...
徐继宇同学的关于氟化石墨烯/硅...
王振宇同学关于石墨烯辅助定向生...
王迪同学关于二硒化钯-锗纳米锥...
罗林保老师与香港理工大学曾志源...
陆星彤同学的关于超宽禁带半导体...
张致翔同学关于钙钛矿光电耦合器...
王莉老师的双表面等离子体增强的...
林艺同学的关于无ITO钙钛矿太阳...
工业与装备技术研究院刘家琴老师...
梁凤霞老师的多孔阳极氧化法制备...
梁凤霞老师的关于石墨烯-氧化锌...
罗林保老师与意大利理工学院黄建...
张致翔同学的关于多层PtSe2-钙钛...
罗林保老师与香港理工大学曾志源...
谢超老师的关于基于石墨烯-半导...
王九镇同学的关于宽光谱、快速、...
罗林保老师与安师大合作的关于高...
梁凤霞老师关于一维半导体纳米结...
汪丹丹同学关于铜纳米颗粒表面等...
潘志强同学的关于核-壳硅纳米线...
 
 
 
 
实验仪器

实验室项目经费购买仪器

DM500 电子束蒸发镀膜机

用于镀制各种单层膜、多层膜和金属膜,主要用于蒸镀光电子器件金属电极; 配备8KW功率电子枪、2组金属蒸发源。极限真空度优于6*10-5Pa,配备石英晶振膜厚仪。

MNT-S100Oz-L4S2 原子层沉积系统

用于高精度镀膜,能够以单层原子膜形式沉积包括介电薄膜和金属薄膜在内的多种膜层;可配备各类液态、固态、气态以及臭氧前驱体源。

E1-M 高分辨二维材料金相显微转移系统

用于在基底上精确转移二维材料,样品可以多方向多角度的相对移动,可最大限度的设计器件的结构及叠放顺序;配备尼康显微镜镜体及1200万像素超高清CMOS显微相机。

Universal 系列手套箱

用于无水、无氧、无尘的超纯环境创造,可将高纯气体充入箱体内,并循环过滤掉其中的活性物质,如O2,H2O,有机气体等。配备旋片式真空泵,可通入氮气、氩气、氦气作为工作气体。


OTF-1200X型双温区管式炉



配备石英窗和转靶、进样系统,可用于复杂化合物、异质结等纳米结构的激光辅助化学气相沉积。工作温度:1200℃


OTF-1200XⅡ型双温区管式炉


LE-SP-M300 系列模拟光源与单色仪

用于各种光谱测试应用.

焦距:300nm
分辨率:0.1nm
光谱范围:200~1500nm
色散:2.7nm/mm
最小步距:0.0023nm
狭缝宽度:10μm-3nm

 

CCS-350S型低温循环制冷系统

用于低温下器件性能测试。

变温范围:10K-500K

最初制冷时间:~90min to 10K,二次制冷时间(300 K to 10 K):45min


RTP-1000D4型快速退火炉

用于多种气氛下,纳米材料、器件等的快速退火。

工作温度:950℃,最高温度:1000℃, 恒温精度:±5℃

最快升温速率:真空:120 ℃/sec;保护气体:100℃/sec


PDC-32G型等离子清洗器

用于硅片、器件等表面的快速清洁。

耐热玻璃舱体直径3英寸,长6.5英寸的,三档功率可调,工作气体:氩气、氧气等。


ME-3A 反应离子刻蚀机

用于SiPoly-Si, Si02SixNy、光刻胶等的刻蚀。

有反应离子刻蚀和磁增强反应离子刻蚀两种模式,刻蚀均匀性误差±5%(4英寸内)



恒温恒湿测试仪

用于不同温度、湿度环境下器件性能测试。

控湿范围:85%RH→3%RH

显示精度:±1%RH

均匀度:±3%RH

控温范围:0℃-50℃

精度:±2℃



DMM-200C正置金相显微镜


用于不透明物体的显微观察。

目镜:10X16X

物镜:5X10X20X40X60X

微动手轮格值:0.002mm

瞳距调节范围:53-75mm


Water Purifier 实验室专用超纯水机

用于实验集中供水,可同时制备取用两种水质的水,即RO水和超纯化水。

RO水电导率≤5μs/cm@25℃

水质标准优于中国国家分析实验室用水(GB/T 6682-2008)三级水标准。

UP超纯化水电导率≤0.1s/cm@25℃;水质优于中国国家分析实验室用水(GB/T 6682-2008)一级水标准。


学院公共科研平台

 

DZS-500电子束/热蒸发沉积系统

用于半导体薄膜、金属电极等的沉积,四个可旋转水冷坩埚,可镀多层膜、超晶格材料等。

真空度:极限真空≤7E-5Pa,工作真空≤7E-4Pa
电子枪:270E型电子枪,功率0-6KW可调。

可实时监控膜厚,膜厚监控仪速度分辨率0.01- 9.99nm/min,厚度分辨率0.1nm

 

JGP560型超高真空磁控溅射系统

用于半导体薄膜、介质薄膜、金属薄膜、磁性薄膜、纳米单层及多层功能薄膜等的沉积。

主溅射室极限真6.6E-6Pa(1200/秒分子泵)

进样室极限真空:≤6.6E-4Pa(600/秒分子泵)。配有5个磁控溅射靶接口。


PLD-450脉冲激光沉积系统

用于成分复杂的合金或化合物材料、氧化物薄膜等的沉积。配备COMPexPro 102 KrF准分子激光器(波长248nm,脉冲能量400mJ,频率1-20HZ,脉冲宽度25ns


三温区化学气相沉积系统

用于一维纳米结构的气相生长。

极限真空:5×10-5Pa

三温区可独立控温,最高工作温度分别为1200度(左、右温区)和1400度(中温区)。

高温氧化(左)


L4514系列单管程控扩散(中、右)

用于半导体的杂质掺杂。

工作温度:400-1250度, 温区长度:300mm,恒温区控制精度:±0.5度, 炉体有效口径:180mm,工艺气体:氧气,氮气。


BG-401A型曝光机

配备BP-2B型烘胶台和KW-4A型匀胶机等相关辅助设备,用于器件制造工艺中的光刻工艺研究。 

曝光精度:2μm



Keithley 4200-SCS/F半导体特性分析系统


用于半导体元器件特性的测量(如I-VC-VC-t等),器件模型的参数提取,氧化特性、掺杂分布、失效分析等。


SW-TPG12型通风柜


用于排出有害气体,采用水、电、气、通风一体制,满足实验过程中清洗和排污需要。


器件表征分析仪器

CS-4 微动探针台

用于微型半导体器件I-V/C-V,PIV测试,配备同轴丝杠传动结构,可线性移动,配备单筒显微镜和1200万像素CCD成像系统,配备暗箱。

MOO1 微型探针冷热台

温度范围77-675K(液氮);可应用于真空及常规环境下器件电学特性的分析及测试,配备4个探针臂接口、单筒式显微镜及CCD成像组件,可满足微米尺度器件分析测试要求。

超连续谱光源+可调谐滤波系统

超连续谱光源(又名白光激光器),平均功率>20W,重复频率10kHz-200MHz,光谱范围覆盖400-2400nm,配备AOTF-Pro可调谐滤波系统可以实现单波长可调谐输出。

Kithley-2400半导体参数测试仪

提供精密的电压、电流测量能力,可用IV、IT,正向电压、反向击穿、漏电流等常规半导体器件参数的分析测试,配备Ke2400S测试软件,可以对测量的数据和图形进行保存。


噪声测量系统1套(博达微,NC-300


用于器件暗电流的噪声测试。


 半导体一体化测试系统1(博达微,FS-Pro)


用于器件的IV测试、CV测试、低频噪声(1/f noise)于单台仪器,内置测量控制软LabExpress-Adv™,拥有直观的用户图形界面,具备完成器件特性分析的功能


电容电压特性测试仪1昆德科技,KCV-300

KCV-300电容电压(C-V)特性测试仪是测试频率为1MHz的数字式电容测试仪器,专用于测量半导体器件PN结的势垒电容在不同偏压下的电容量,也可测试其它电容


函数发生器1RigolDG5252


函数发生器是一种多波形的信号源。用于产生正弦波、方波、三角波、锯齿波等波形。


高频示波器1套(泰克,DPO 5104B

用于观察各种不同信号幅度随时间变化的波形曲线,还可以用它测试各种不同的电量,如电压、电流、频率、相位差、调幅度等等。



斩波器1套(SR540

主要功能参数:
频率范围:4Hz~3.7KHz(内孔:4Hz~400Hz;外孔:400~3.7KHz
频率输出精度:<2%
相位稳定度:0.2°~ 0.5°


数字锁相放大器1套(吉时利,SR830


用于在噪声环境中提取信号幅值和相位信息。


前置放大器1套(美国斯坦福,SR560


用于接收来自信源的微弱电压信号。

用于


应用研究设备

短波红外相机 GH-SW640-CL

用于太阳能电池板检测、制程气体含湿监测、激光测距、晶圆缺陷检视、毒性物质及气体侦测、食品、饲料成分分析、通讯光谱监视等等

近红外光谱仪 NIR25S

用于测定农副产品的品质(如:水分、蛋白质、油脂含量等)、NIR分析技术可用来检测蔬菜中的农药残留量、维生素含量、叶面的破损情况等、测定原料肉及肉制品中的水分、蛋白质和脂肪含量等等

高光谱相机 Specim IQ

用于食品工业中肉鱼和家禽品质检测,用于制药行业,或干粮、坚果、谷物和黑色聚合物分选等等

实时频谱分仪 RSA5032N

可以捕捉到隐藏在大信号下的小瞬态信号,其为无线电监控和频谱管理应用提供了许多出色的性能,可以快速而可靠地捕获瞬态的复杂信号。


可编程智能虚拟仪器  Pro-ADP3450

利用其强大的图形环境和接口通信功能,建立虚拟仪器面板,完成对仪器的控制、数据分析和显示,代替了传统的仪器并改变了传统仪器的使用方法,可以根据用户需求定义仪器功能,提高仪器的使用功能和效率,大幅降低了仪器的价格和研发周期。

DSP+FPGA实验箱 TL6678F-TEB-A1

基于TI KeyStone C66x多核定点/浮点DSP TMS320C6678的高性能信号处理器;

提供基于工业摄像头的车牌识别、目标检测、目标跟踪、图像复原、超分辨率重建、图像拼接等图像处理实验;



FPGA SOC开发板DigilentZybo Z7-20

主要参数

ARM Cortex A9处理器

存储器:630KB

4个时钟管理单元

49个通用接口

6个板载Pmod接口

同时还有风扇接口和Zynq散热器

Xilinx FPGA RISC-V开发系统  

主要参数

双核 ARM Cortex™-A9 处理器

512 MB DDR3

256 MB 四路 SPI 闪存

板载 USB-JTAG 编程


达芬奇Artix-7 FPGA开发板 Xilinx XC7A35T

主要参数

Xilinx Artix7-XC7A35T 主控芯片

50Mhz有源晶振

Micron-N25Q128 SPI FLASH

容量:128Mbit(16MB字节)

DDR3:NT5CB128M16,容量∶2Gbit

MSO/MDO示波器 MD034-200

主要参数

带宽: 200MHz

采样率: 2.5GSPS

采用HD电容式触摸屏

逻辑分析仪Saleae Logic Pro16

主要参数

数字/模拟输入: 16通道

输入阻抗:1M 欧姆

输入容值:10pF

输入保护:±25V

高分辨率光纤光谱仪 Maya2000pro

主要参数

采用二维薄型背照式

全信号信噪比:~450:1

动态范围:150001





 
 
合肥工业大学先进半导体器件与光电集成实验室
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