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张秀星同学关于高开关比、空气稳定的PdSe2/GaAs异质结近红外光探测器和图像传感应用的研究论文被Chin. J. Chem. Phys.接受发表


Lin-Bao Luo,* Xiu-Xing Zhang, Chen Li, Jia-Xiang Li, Xing-Yuan Zhao, Zhi-Xiang Zhang, Hong-Yun Chen, Di Wu, Feng-Xia Liang*


Abstract:In this study, we have developed a high-sensitivity, near-infrared photodetector (NIRPD) based on PdSe2/GaAs heterojunction, which was made by transferring a multilayered PdSe2 film onto a planar GaAs. The as-fabricated PdSe2/GaAs heterojunction device exhibited obvious photovoltaic behavior to 808 nm illumination, indicating that the NIRPD can be used as a self-driven device without external power supply. Further device analysis showed that the hybrid heterojunction exhibited a high Ilight/Idark ratio of 1.16×105 measured at 808 nm under zero bias voltage. The responsivity and specific detectivity of photodetector were estimated to be 171.34 mAW−1 and 2.36×1011Jones, respectively. Moreover, the device showed excellent stability and reliable repeatability. After 2 months, the photoelectric characteristics of the NIRPD hardly degrade in air, attributable to the good stability of the PdSe2. Finally, the PdSe2/GaAs-based heterojunction device can also function as a NIR light sensor, which can easily record the table lamp image generated by 808 nm illumination, these results signify that the present PdSe2/GaAs heterojunction may be potential useful in future infrared photoelectric systems.



Chin. J. Chem. Phys


 
 
合肥工业大学先进半导体器件与光电集成实验室
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