实验室动态
恭喜实验室张致翔同学获得2019年...
恭喜实验室陆星彤同学获得2019年...
恭喜实验室康经纬同学获得2019年...
恭喜实验室赵兴远同学获得2019年...
童小伟同学的关于PtTe2材料用于...
康经纬同学关于γ-In2Se3/GaAs ...
张秀星同学关于高开关比、空气稳...
陆星彤同学关于氧化镓薄膜的图案...
罗和昊同学关于高灵敏且响应波段...
朱慧男同学关于GaSe微米带的可控...
李振同学关于自驱动、免滤波片、...
蒋静静同学关于甲基胺铅碘单晶p-...
罗林保老师与我校光电技术研究院...
陆星彤同学的关于无催化剂生长氧...
张致翔同学的关于基于无机无铅宽...
赵兴远同学关于PdSe2/金字塔硅近...
康经纬同学关于层状γ-硒化铟纳...
李晶晶同学的关于高性能多层硒化...
彭伟同学的关于不对称接触导致的...
梁林同学的宽光谱钙钛矿光电探测...
童小伟同学关于硅/CsBi3I10异质...
吴国安同学的钙钛矿/有机半导体...
徐继宇同学的关于氟化石墨烯/硅...
王振宇同学关于石墨烯辅助定向生...
王迪同学关于二硒化钯-锗纳米锥...
罗林保老师与香港理工大学曾志源...
陆星彤同学的关于超宽禁带半导体...
张致翔同学关于钙钛矿光电耦合器...
王莉老师的双表面等离子体增强的...
林艺同学的关于无ITO钙钛矿太阳...
工业与装备技术研究院刘家琴老师...
梁凤霞老师的多孔阳极氧化法制备...
梁凤霞老师的关于石墨烯-氧化锌...
罗林保老师与意大利理工学院黄建...
张致翔同学的关于多层PtSe2-钙钛...
罗林保老师与香港理工大学曾志源...
谢超老师的关于基于石墨烯-半导...
王九镇同学的关于宽光谱、快速、...
罗林保老师与安师大合作的关于高...
梁凤霞老师关于一维半导体纳米结...
汪丹丹同学关于铜纳米颗粒表面等...
潘志强同学的关于核-壳硅纳米线...
张登月同学的关于单层石墨烯-氧...
王九镇同学的关于单层石墨烯/二...
张腾飞同学的关于石墨烯-氧化锌...
张腾飞同学的关于碳纳米管薄膜-...
孔维玉同学的关于石墨烯-β-氧化...
卢瑞同学的关于局域表面等离子体...
陈冉同学关于“银纳米球增...
葛才旺同学的关于基于增益补偿金...
 
 
 
 
蒋静静同学关于甲基胺铅碘单晶p-n结二极管和n-p-n三极管的制备与光电探测器应用的研究论文被Adv. Funct. Mater.接受发表


Feng-Xia Liang, Jing-Jing Jiang, Yao-Zu Zhao, Zhi-Xiang Zhang, Di Wu, Long-Hui Zeng, Yuen Hong Tsang*

 Lin-Bao Luo,* 


Abstract:In this study, MAPbBr3 single crystal (MSC) p-n perovskite homojunction photodiode and n-p-n phototriode have been successfully fabricated through controlled incorporation of Bi3+ ions in solution. Optoelectronic analysis reveals that the photodiode shows typical photovoltaic behavior and best photovoltaic performance can be achieved when the n-type MSC was grown in 0.3% Bi3+ feed solution. The as-assembled p-n MSC photovoltaic detector displays obvious sensitivity to 520 nm illumination, with a high responsivity of up to 0.62 A/W and a specific detectivity of 2.16×1012 Jones, which surpassed many MSC photodetectors previously reported. Further performance optimization could be realized by constructing an n-p-n phototriode using the same growth method. The photocurrent magnification rate of the as-fabricated n-p-n phototriode can reach a maximum value of 2.9×103. Meanwhile, a higher responsivity of 14.47 A/W, specific detectivity of 4.67×1013 Jones and an external quantum efficiency (EQE) of up to 3.46×103 were achieved under an emitter-collector bias of 8V. These results confirm that the present p-n and n-p-n MSC homojunction are promising device configurations which may find potential application in future optoelectronic devices and systems.




Adv. Funct. Mater.


 
 
合肥工业大学先进半导体器件与光电集成实验室
Copyright © 2010 All rights reserved.