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High-gain visible-blind UV photodetectors based on chlorine-doped n-type
ZnS nanoribbons with tunable optoelectronic properties

Yongqiang Yu, Jiansheng Jie*, Peng Jiang, Li Wang, Chunyan Wu, Qiang Peng, Xiwei Zhang, Zhi Wang, Chao Xie, Di Wu, and Yang Jiang*


Abstract Efficient n-type doping on ZnS nanoribbons (NRs) were accomplished by using chlorine (Cl) as the dopant via thermal evaporation. Indium tin oxide (ITO) transparent electrode was used to achieve ohmic contact to the ZnS:Cl NRs. The conductivity of the Cl-doped ZnS NRs was significantly improved as compared with the undoped ones and could be tuned in a wide range of 3-4 orders of magnitude by adjusting the Cl doping level. High-performance nano-photodetectors were constructed based on the ZnS:Cl NRs, which show high sensitivity to the UV light while are nearly blind to the visible light. Notably, the ZnS:Cl NR photodetectors have a photoconductive gain as high as ~107, which is among the highest values obtained for UV nano-photodetectors so far. Our results demonstrate that the n-type ZnS NRs with tunable optoelectronic properties are promising building blocks for nano-optoelectronic devices.

 


 
 
合肥工业大学先进半导体器件与光电集成实验室
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